离子束刻蚀

离子束刻蚀也称为离子铣，是指当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，大样片离子束刻蚀机生产厂家，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。离子束较小直径约10nm，离子束刻蚀的结构较小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，少的达到10nm，获得较小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀，大样片离子束刻蚀机多少钱，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。

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离子束刻蚀机

离子束刻蚀是从工件上去除材料，是一个撞击溅射过程。

当离子束轰击工件，入射离子与靶原子碰撞时将动能传递给靶原子，使其获得的能量超过原，子的结合能，导致靶原子发生溅射，从工件表，大样片离子束刻蚀机，面溅射出来，以达到刻蚀的目的。

刻蚀加工时，对离子入射能量、束流大小、离子入射角度以及工作室压力都需要根据不同的加工需求进行调整。

离子束刻蚀可以在高精度加工、表面抛光、石英晶体谐振器制作等方面得到应用。

刻蚀机

刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，大样片离子束刻蚀机原理，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。

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