磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
靶zhong毒现象
(1)正离子堆积：靶zhong毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶zhong毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。
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磁控溅射镀膜设备技术的特点
(1)离子轰击渗扩更快因为选用低温等离子无心插柳，为渗剂分子和正离子的吸咐和渗人造就了高宽比活性的表层，提升了结晶中缺点的相对密度，比传统式的汽体渗扩技术性速率明显增强。在一样加工工艺标准下，渗层深度1在0.05二以内，比汽体渗扩提升1倍。在较高溫度下，1h就能达lmm厚。
(2)对钢件表层改性材料成效显著，工艺性能高，真空泵加温易清除高溫冶炼厂时融解的汽体，并可根据渗人金属材料更改PCB的机构和构造，使耐磨性能、耐蚀性、强度和断裂韧性等众多特性获得改进。而且因为清理***，使金属材料粗糙度减少，除去不锈钢钝化的残渣和废弃物，改进了金属材料的工艺性能。
(3)加工工艺适应能力强，有利于解决方式繁杂的钢件。传统式的正离子注人技术性的致命性缺点是注人全过程是1个视野全过程，只能曝露在正离子抢口下的钢件表层能够被注人，针对钢件中必须表层改性材料的内表层或管沟表层等，离子束则很难达到，磁控溅射台，而且一回只有注一人钢件，注人***率低，机器设备繁杂价格昂贵
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镀膜设备原理及工艺
前处理（清洗工序）
要获得结合牢固、致密、无针1孔缺陷的膜层， 必须使膜层沉积在清洁、具有一定温度甚至是的基片上。为此前处理的过程包括机械清洗(打磨、毛刷水洗、去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等***， 并且不含活性离子， 必要时还可采用超声清洗。烘烤的目的是彻底清除基片表面残余的水份， 并使基片加热到一定的温度， 很多材质在较高的基片温度下可以增强结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进行， 也可以在真空室内继续进行， 以获得更好的效果。但在真空室内作为提供热源的电源应有较低的电压， 否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片表面残留的不利于膜层沉积的成份， 同时可以提高基片表面原子的活性。
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