磁控溅射装置服务至上 北京创世威纳
作者:创世威纳2020/10/29 20:21:31







磁控溅射镀膜机



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真空镀膜机利用这种溅射方法在基体上沉积薄膜是1877年问世的。但是,利用这种方法沉积薄膜的初期存在着溅射速率低,成膜速度慢,并且必须在装置上设置高压和通入惰性气体等一系列问题。因此,发展缓慢险些被淘汰。只是在化学活性强的金属、难容金属、介质以及化合物等材料上得到了少量的应用。直到20世纪70年代,由于磁控溅射及时的出现,才使溅射镀膜得到了迅速的发展,开始走入了复兴的道路。这是因为磁控溅射法可以通过正交电磁场对电子的约束,增加了电子与气体分子的碰撞概率,这样不但降低了加在阴极上的电压,而且提高了正离子对靶阴极的溅射速率,减少了电子轰击基体的概率,从而降低了它的温度,即具备了;高速、低温的两大特点。到了80年代,虽然他的出现仅仅十几年间,它就从实验室中脱颖而出,真正地进入了工业大生产的领域。而且,随着科学技术的进一步发展,近几年来在溅射镀膜领域中推出了离子束增强溅射,采用宽束强流离子源结合磁场调制,并与常规的二极溅射相结合组成了一种新的溅射模式。连续式的磁控溅射生产线总体上可以分为三个部分:前处理,溅射镀膜,后处理。而且,又将中频交流电源引入到磁控溅射的靶源中。这种被称为孪生靶溅射的中频交流磁控溅射技术,不但消除了阳极的;消失;效应。而且,也解决了阴极的问题,从而极大地提高了磁控溅射的稳定性。为化合物薄膜制备的工业化大生产提供了坚实的基础。近年来急速镀膜的复兴与发展已经作为人们炙手可热的一种新兴的薄膜制备技术而活跃在真空镀膜的技术领域中。








直流磁控溅射技术

为了解决阴极溅射的缺陷,人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术,它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点,因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是:在磁控溅射中,由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力,它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动,其运动路径变长,因而增加了与工作气体分子碰撞的次数,使等离子体密度增大,从而磁控溅射速率得到很大的提高,而且可以在较低的溅射电压和气压下工作,降低薄膜污染的倾向;另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时,经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时,已变成低能电子,从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。磁控溅射镀机磁控溅射镀一层薄薄的膜是工业化中必不可少的技术性之首,磁控溅射镀一层薄薄的膜技术性正运用于全透明导电膜、电子光学膜、超硬膜、耐腐蚀膜、带磁膜、增透膜、减反膜及其各种各样装饰膜,在国防安全和社会经济生产制造中的***和影响力日渐强劲。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜,而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀,导致靶材利用率低,一般仅为20%-30%。

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磁控溅射设备的主要用途

(1)各种功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低温沉积氮化硅减反射膜,以提高太阳能电池的光电转换效率。(2)装饰领域的应用,如各种全反射膜及半透明膜等,如手机外壳,鼠标等。(3) 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术,主要应用在化学气相沉积(CVD)或金属有机(4)化学气相沉积(MOCVD)生长困难及不适用的材料薄膜沉积,而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。(5) 在光学领域:中频闭合场非平衡磁控溅射技术也已在光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面得到应用。在装饰设计装饰品上的运用:手机套、表带、眼镜框、五金配件、装饰品等镀一层薄薄的膜。特别是透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。(6)在机械加工行业中,表面功能膜、超硬膜,自润滑薄膜的表面沉积技术自问世以来得到长足发展,能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能,从而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。磁控溅射除上述已被大量应用的领域,还在高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜研究方面发挥重要作用。

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磁控溅射系统的特点!



磁控溅射是物***相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。磁控溅射系统厂家带你了解更多!

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击ya气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。

磁控溅射除上述已被大量应用的领域,还在高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜研究方面发挥重要作用。

磁控溅射的基本原理是利用 Ar一O2混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下,被加速的高能粒子轰击靶材表面,能量交换后,靶材表面的原子脱离原晶格而逸出,转移到基体表面而成膜。

磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。















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