中诺新材可提供的常规陶瓷靶材如下:
氧化铝靶 Al2O399.99%
氧化铪靶 HfO299.99%
氧化镁靶 MgO99.99%
氧化硅靶 SiO299.999%
氧化钽靶 Ta2O599.99%
氧化钛靶 TiO299.99%
氧化锌靶 ZnO99.99%
氟化镁靶 MgF99.99%
硫化锌靶 ZnS99.99%
氮化钛靶 TiN99.9%
氮化铝靶 AlN99.9%
氮化硼靶 BN99.9%
碳化硅靶 SiC99.9%
常备现货的靶材尺寸:
φ50.8mm φ60mm
φ80mm,高纯钨熔炼,
φ100mm φ101.6mm
其它尺寸圆靶、方靶可定制
陶瓷靶材质脆,受热不均易碎,河北高纯钨,推荐绑定铜背靶,以增强靶材导热性能,提供靶材利用率
中诺新材可根据您的需求,为您定制不同化合物,不同比例的掺杂靶材。通过球磨制粉,共沉积制粉,真空热压烧结,常压烧结等工艺,可保证靶材掺杂比例准确,掺杂相单一,高纯钨应用,致密度高。
部分定制靶材如下:
氧化铟锡 ITOIn2O3:SnO2=90:10 wt%
氧化锌铝 AZOZnO:Al2O3=98:2 wt%
铜铟硒 CIGSCu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%
氧化锌掺杂氧化镁等
氧化铟锌 IGZOIn:Ga:Zn=2:2:1 at%
钛锆酸铅 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3
锗锑碲 GSTGe:Sb:Te=2:2:5 at%
高纯的单晶硅是重要的半导体材料。高温合金,高熵合金,非晶合金等各种特殊要求合金对熔炼原料的要求越来越高。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路(包括人们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
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