光刻胶介绍
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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,负性光刻胶厂家,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛极高的电子***一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入,负性光刻胶哪家好, 国内企业已逐步从低端 PCB 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。
光刻胶相关知识
光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示,wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心,离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它后期的厚度,溶剂很快就蒸发掉了,wafer上就留下了一薄层光刻胶。然后通过烘焙去掉后面剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感,特别是紫外(UV)线。相对来说他们仍旧对其他波长的,包括红,橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
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光刻胶按用途分类
光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、I 线 (365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV)六个阶段。相对应于各***波长的光刻胶也应运而生,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能更好地满足工艺要求。
(2)LCD光刻胶
在LCD 面板制造领域,负性光刻胶供应商,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,青海负性光刻胶,可分为 RGB 胶(彩色胶)、BM胶(黑色胶)、OC 胶、PS 胶、TFT 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准***、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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