光刻胶相关信息
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光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广,上游为基础化工材料行业、精细***行业,中游为光刻胶制备,下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产品质量,下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视,常采用认证采购的模式,进入壁垒较高。
在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下,光刻胶市场将持续扩大。2018年***光刻胶市场规模为85亿美元,2014-2018年复合增速约5%。据IHS,未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看,目前半导体光刻胶占比24.1%,LCD 光刻胶占比26.6%,PCB 光刻胶占比24.5%,其他类光刻胶占比24.8%。
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线***后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被***的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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光刻胶的未来发展
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由于光刻胶的技术壁垒较高,国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。特别是高分辨率的KrF和ArF光刻胶,基本被日本和美国企业占据。
国内光刻胶生产商主要生产PCB光刻胶,面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中,PCB光刻胶占比94%,LCD光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品,TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少,仍需大量进口,从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
光刻胶的主要技术参数
1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小***量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶
的敏***对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
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