光刻胶的应用
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模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics amp; Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)
光刻胶
在***过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以***后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。***后的光刻胶溶解速度几乎是未***的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在***区间显影,负性胶则相反。负性胶由于***区间得到保留,漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
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