美国Futurrex的光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）***工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来***产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。从对准原理上及标记结构分类，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式、干涉强度对准、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。受***半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计***光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。

在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

NR9-3000PY负性光刻胶报价

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH, 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。