在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。光刻工艺重要性二光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13。

纵观***市场，光刻胶专用***生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备***大，技术需要长期积累。

至今光刻胶专用***仍主要被被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，共获得***专利10项（包括国际专利***3项）。

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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH, 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。