光刻胶的组成

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树脂( resin/polymer)，光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质( 如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂，感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂( Additive )，用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一-种天然的橡胶;溶剂是;感光剂是一种经过***后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在***区由溶剂引起泡涨;***时光刻胶容易与氮气反应而***交联。

光刻胶介绍

光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。

从技术水平来看，在PCB领域，国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力，已经实现对主流厂商大批量供货。

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光刻胶的主要技术参数

1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

2、对比度:指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小***量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶

的敏***对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。

4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的

粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。

5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。

6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。

7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。

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光刻胶：半导体技术壁垒的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

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