光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征,还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下,一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求,光刻胶的品种非常多,这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此,通过调整光刻胶的配方,满足差异化的应用需求,是光刻胶制造商***核心的技术。
此外,由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小,而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与***波长、数值孔径和工艺系数相关。
2,涂胶,在硅片覆盖,旋转,离心力,在硅片表面通过旋转的光刻胶,工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um,
3,前烘,通过在较高温度下进行烘焙,光刻胶 NR9G-8000PY,使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发,光刻胶NR9G-3000PY,溶剂将至5%左右,同时增强与衬底的粘附性。前烘方法:热平板传导,光刻胶NR9-3000P,干燥循环热风提高附着力,红外线辐射。
烘箱前烘条件:90-100度,10-20min,前烘时间与温度应适当,如太长或温度太高,光刻胶,光刻胶层变脆而附着力下降,而前烘不足会影响后面的显影效果。
LCD市场助力
***LCD面板总出货面积增长,LCD光刻胶需求增加。据WitsView数据,虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降,但是由于大屏显示的市场扩增,LCD整体出货面积变大,2016年出货总面积达到1.7亿平方米,同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长,中国产业信息网预测,未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大,国内LCD光刻胶需求也会持续增长。
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