光刻胶的分类

以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德***生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。

硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。

光刻胶的参数

赛米莱德***生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名：resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度（Contrast）指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（Sensitivity）光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值（或***量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏***对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度（Viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gr***ity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。

粘附性

粘附性（Adherence）表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。

抗蚀性

抗蚀性（Anti-etching）光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力（Surface Tension），使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

光刻胶市场情况

目前***光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断。光刻胶属于高技术壁垒材料，生产工艺复杂，纯度要求高，需要长期的技术积累。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了***70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。

光刻胶市场需求逐年增加，2018年***半导体光刻胶销售额12.97亿美元。随着下游应用功率半导体、传感器、存储器等需求扩大，未来光刻胶市场将持续扩大。

以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们