光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的***剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) ***系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。

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光刻胶成分介绍

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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂，以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。

2、正性光刻胶

主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。常用的有AZ- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。

光刻胶的特点

1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用***区与非***区的溶解速率差来实现图形的转移;

2、溶解***/溶解促进共同作用;

3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;

光刻胶相关知识

光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它后期的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。然后通过烘焙去掉后面剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）线。相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。

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