光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介

光刻胶具有光化学敏***，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。

光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶专用***，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占***市场24.5%，半导体IC光刻胶占***市场24.1%，LCD光刻胶占***市场26.6%。

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。

在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。NR9-3000PY负性光刻胶负胶NR9-3000PY被设计用于i线（365nm）***，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻和接触式光刻等工具。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否彻底、光刻胶图形是否完好。

NR77-25000P,RD8

品牌

产地

型号

厚度

***

应用

加工

特性

Futurrex

美国

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

用于i线***的负胶

LEDOLED、

显示器、

MEMS、

封装、

生物芯片等

金属和介电

质上图案化，

不必使用RIE

加工器件的永

组成

（OLED显示

器上的间隔

区）凸点、

互连、空中

连接微通道

显影时形成光刻胶倒

梯形结构

厚度范围：

0.5～20.0 μm

i、g和h线***波长

对生产效率的影响：

金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工

不需要双层胶技术

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

粘度增强

NR9-1500PY

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

NR71G-1000PY

负胶对 g、h线波长的灵敏度

NR71G-1500PY

NR71G-3000PY

NR71G-6000PY

NR9G-100PY

0.7μm～2.1μm

NR9G-1500PY

1.3μm～3.1μm

NR9G-3000PY

NR9G-6000PY

耐热温度

PR1-500A

0.4μm～0.9μm