光刻胶分类

正性光刻胶和负性光刻胶

光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未***部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时***部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。

在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,因此正性光刻胶的应用更为广泛。

光刻胶的参数介绍

1．对比度（Contrast）

对比度指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。

2．粘滞性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。

3．抗蚀性（Anti-etching）

光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

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光刻胶介绍

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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛极高的电子***一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入， 国内企业已逐步从低端 PCB 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。