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作者:赛米莱德2020/6/20 0:13:30






光刻胶市场

我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元,同比增长11%,高于国际市场增速,但***占比仍不足15%,发展空间巨大。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨,而需求量为10.12万吨,依照需求量及产量增速预计,未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计,得益于我国平面显示和半导体产业的发展,我国光刻胶市场需求,在2022年可能突破27.2万吨。在光刻胶生产种类上,我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶,而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小,相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场,光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶(JSR)、东京应化(TOK)、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。该技术的引入,可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射,从而改善光刻胶的分辨率性能,但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。


光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发,关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂,开发所涉及的技术难题众多,需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此,要自主研发生产,技术难度非常之高。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中,感光剂是光敏化合物,***常见的是重氮萘醌(DNQ)。

在光刻胶研发上,我国起步晚,2000年后才开始重视。近几年,虽说有了快速发展,但整体还处于起步阶段。事实上,工艺技术水平与国外企业有着很大的差距,尤其是材料及设备都仍依赖进口。


光刻胶国内研发现状

“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上,布局不合理、不完整,特别是生产加工环节的***,而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前,整个产业是中间加工环节强,前后两端弱,核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。芯片光刻的流程详解(一)在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。

光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要,必须全部指标达到才能使用。因此,国外企业在配方、生产工艺技术等方面,对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展



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光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其彻底干燥,增粘处理(涂底) 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,Si-OH, 表面有,亲水性,使用HMDS H2C6Si2NH 涂覆,熏蒸 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,与光刻胶相亲。显示器,OLEDs,波导(w***eguides),VCSELS,成像,电镀,纳米碳管,微流体,芯片倒装等方面。


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