光刻胶介绍
光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料,可以在光照后发生化学性质的改变,这是整个工艺的基础。
光刻胶有不同的类型,PMMA(PMGI)以及DNQ(酚醛树脂)等材料都可以做光刻胶。
目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等***,包括 FUTURREX、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等,中国公司在光刻胶领域也缺少核心技术。
按感光树脂的化学结构,光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中,采用不同单体可以形成正、负图案,并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。
光聚合型光刻胶
烯类,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合。
光分解型光刻胶
叠氮醌类化合物,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性。
光交联型光刻胶
聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的双键打开,链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。
按***波长,光刻胶可分为紫外(300~450 nm)光刻胶、深紫外(160~280 nm)光刻胶、极紫外(EUV,江苏负性光刻胶,13.5 nm)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。
按应用领域,光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,负性光刻胶公司,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。
四、前烘(Soft Bake)
完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,负性光刻胶供应商,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,负性光刻胶哪里有,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶 衬底上的附着性。
在前烘过程中,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。
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