光刻工艺重要性二

光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着***波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，北京负性光刻胶，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，负性光刻胶生产厂家，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

芯片光刻的流程详解（一）

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，负性光刻胶哪里有，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。

Niepce的发明100多年后，即第二次***期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，负性光刻胶多少钱，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

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