正负光刻胶

正负光刻胶

光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。光刻胶编码HS编码:3707100001[类注]|[章注]|[子目注释]中文描述:不含银的感光乳液剂（CIQ码：301:液体）英文描述:Non--0--silverlight-sensitiveemulsionagent申报要素:0。

光刻胶的重要性

在北京化工大学理学院院长聂俊眼里，我国虽然已成为世界半导体生产大国，但面板产业整体产业链仍较为落后。目前，上游电子***（LCD用光刻胶）几乎全部依赖进口，必须加快面板产业关键核心材料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及国际“地位”的确立。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就遥遥无期。

“假如我们把光刻机比作一把菜刀，那么光刻胶就好比是要切割的菜，没有高质量的菜，即使有了锋利的菜刀，也无法做出一道佳肴。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。

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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O,等离子去胶Oxygenpla***a ashing,高频电场O2---电离O- O , O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O, 光刻检验