光刻胶趋势

半导体光刻胶领域***市场规模趋于稳定，负性光刻胶报价， 2017年***市场约13.5亿美元；国内市场约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受***半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计***光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。

光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；光刻胶企业通常运营成本较高，北京负性光刻胶，下游厂商认证采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，负性光刻胶厂家，需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。

总体上，光刻胶行业得到***层面上的政策支持。《***集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”；******支持的高新技术领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套***作为精细***重要组成部分，是***发展的新材料技术”；光刻技术（包括光刻胶）是《中国制造 2025》***领域。

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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla***a ashing，高频电场O2---电离O- O ，负性光刻胶生产厂家， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验

四、对准（Alignment）

光刻对准技术是***前一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为***细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。

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