芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，光刻胶 NR72G-800P?，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

NR77-15000P

9，光刻胶，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，光刻胶 NR94-8000PY，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla***a ashing，光刻胶 NR73G-1500P，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验

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