光刻胶 MC1-100 - 光刻胶-赛米莱德
作者:赛米莱德2020/3/18 4:02:43

芯片光刻的流程详解(二)

所谓光刻,根据维基百科的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点, 光刻胶 IC1-1000 ,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。




芯片光刻的流程详解(一)

在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻, 光刻胶 MC1-100 ,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上, 光刻胶 IC1-500 ,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬, 光刻胶,而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板,Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。

Niepce的发明100多年后,即第二次***期间才应用于制作印刷电路板,即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管,当时分辨率5um,如今除可见光光刻之外,更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。


表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个:
(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。
(2)力学特性和化学特性。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。
(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。

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