光刻胶 -赛米莱德- 光刻胶 D***-500
作者:赛米莱德2020/3/10 5:21:49
PR1-2000A1光刻胶

4,***

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上,经与光刻版对准后,进行***,接受光照的光刻胶发生化学变化,形成潜影,光刻胶 ,

光源与光刻胶相匹配,也就是光源波长在光刻胶的敏感波段;

对准:指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准,这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

***时间,由光源强度, 光刻胶 D***-500 ,光刻胶种类,厚度等决定,

另外, 光刻胶 MC2-1200 ,为降低驻波效应影响,可在***后需进行烘焙,称为光后烘焙(PEB


芯片光刻的流程详解(二)

所谓光刻,根据维基百科的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤, 光刻胶 IC1-2000 ,该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。




表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个:
(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。
(2)力学特性和化学特性。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。
(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。

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