光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏***技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，光刻胶 NR75-1000HP，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。

NR9-3000PY光刻胶

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，光刻胶，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，光刻胶 NR74g-3000P，Sio2 空气中，光刻胶 NR73G-6000P，Si-OH， 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光***后，它在显影液中的溶解度会发生变化。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

***前对显影液不可溶，而***后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：***区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist）

与正胶反之。

优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留***区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。

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