NR9-250P

20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？

A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip

on glass 上的胶粘剂。

21．是否有Wax替代品？

A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。

22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？

A 有，IC1-200就是

23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？

A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。

24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？

A 1 需要知道要涂在什么材质上，2

还有要知道需要做的膜厚，3

还要知道光刻胶的分辨率

4还有需要正胶还是负胶，5

需要国产还是进口的

27．想找一款膜厚在120um，光刻胶 NR74g-3000P，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！

A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex

NR21-20000P ，。

28．有没有了解一款美国Futurrex

NR9-250P的光刻胶，请教下？

A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre

光刻胶是世界第4大的电子***制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，光刻胶，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。

29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？

A 厚膜应用（thick

film applicati），主要是指高纵横比（Aspect

ratios），高分辨率，高反差，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》

的光刻

负性光刻胶

负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

A、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线***用粘度增强负胶系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

g和h线***用粘度增强负胶系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

B、加工负胶

加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

用于i线***的加工负胶系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。

在现有技术中，光刻胶 NR74g-1500P，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶***外面形成一层坚硬的外壳。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶 NR73G-6000P，光刻胶***外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

光刻胶-光刻胶 NR73G-6000P-赛米莱德(优质商家)由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）在工业制品这一领域倾注了无限的热忱和热情，赛米莱德一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：况经理。