光刻胶

按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

叠氮醌类化合物，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下，分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按***波长，光刻胶NR77-1000PY，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。

按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，光刻胶NR26-40000P，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。

芯片光刻的流程详解（一）

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，光刻胶，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。

Niepce的发明100多年后，即第二次***期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，

但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：

1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:

1.1 Futurre光刻胶黏附性好，光刻胶NR26-12000P?，无需使用增粘剂（HMDS）

1.2 负性光刻胶常温下可保存3年

1.3 150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟

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