政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，***02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室***任务验收***组、财务验收***组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，共获得***专利10项（包括国际专利***3项）。

PR1-2000A1光刻胶

4，***

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，光刻胶，进行***，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，光刻胶PR1-4000A1 ，

光源与光刻胶相匹配，光刻胶 NR21-20000P，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

***时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在***后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）

四、前烘（Soft Bake）

完成光刻胶的涂抹之后，光刻胶PD***-2500，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。

在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。

赛米莱德(图)-光刻胶 NR21-20000P-光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com）是一家从事“光刻胶”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“赛米莱德”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务为先，用户至上”的原则，使赛米莱德在工业制品中赢得了众的客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！