光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist）

与正胶反之。

优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。

NR9-3000PY光刻胶

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶 NR9-3000P，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH， 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，光刻胶NR9-1500PY??，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。

在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，光刻胶，这使得光刻胶最外面形成一层坚硬的外壳。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶NR9-1000PY??，光刻胶最外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

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