本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是***认定的集成电路设计企业。场效应管的选型及应用概览场效应管广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。开关损耗其实也是一个很重要的指标。从下图可以看到，导通瞬间的电压电流乘积相当大。一定程度上决定了器件的开关性能。不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是***认定的集成电路设计企业。五年甚至更长的时间内，场效应管仍会占据主导的位置。场效应管也仍将是众多刚入行的工程师都会接触到的器件，本期内容将会从基础开始，探讨场效应管的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等为大家做一些介绍。一.场效应管的基础选型场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。近几年公司自主开发成功电源管理类低压差稳压电路和电压检测电路，瞬态好LDO，两个大类几十个品种的系列产品。这些产品的特点是：精度高、压差小、功耗低、温漂小。并且品种规格齐全，封装形式多样，性能良好，质量稳定。完全可以与国外同类产品互换使用。本公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。瞬态好LDO-明达微电子(图)由上海明达微电子有限公司提供。瞬态好LDO-明达微电子(图)是上海明达微电子有限公司（-ic.）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：许飞。)