HC160N10L替代UT12N10 100V10A 10N10场效应管N沟道MOS管TO-252
深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管厂家***,质优价廉大量现货量大价优欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越,深圳市惠新晨电子有限公司***20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装产品型号:HC160N10L参数:100V10A,类型:N沟道场效应管,内阻145mR,低结电容400pF,封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,低内阻,低结电容,特别适合频率要求高的高频***、香薰机、加湿器等工厂规模:)
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