深圳市惠新晨电子有限公司产品型号：HC021N10L参数：100V35A，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容1880pF封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，大晶圆大芯片，过电流大，抗冲击能力强，散热好HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10封装代工厂规模图：)