深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管厂家***，质优价廉大量现货量大价优欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越,深圳市惠新晨电子有限公司***20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装产品型号：HC160N10L参数：100V10A，类型：N沟道场效应管，内阻145mR，低结电容400pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低内阻，低结电容，特别适合频率要求高的高频***、香薰机、加湿器等)