本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是***认定的集成电路设计企业。场效应管的选型及应用概览场效应管广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动；其次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年，于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司，已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称，是***认定的集成电路设计企业。近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用场效应管产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率场效应管更是备受关注。据预测，2010-2015年中国功率MOSFET市场的总体复合年度增长率将达到13.7%。虽然市场研究公司iSuppli表示由于宏观的***和经济政策和日本带来的晶圆与原材料供应问题，今年的功率场效应管市场会放缓，驱动能力大磁保持继电器驱动电路，但消费电子和数据处理的需求依然旺盛，因此长期来看，功率场效应管的增长还是会持续一段相当长的时间。LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV左右；与之相比，使用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备，其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似。更新的发展使用CMOS功率晶体管，它能够提供低的压降电压。使用CMOS，通过稳压器的电压压降是电源设备负载电流的ON电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。驱动能力大磁保持继电器驱动电路-上海明达微电子(推荐商家)由上海明达微电子有限公司提供。上海明达微电子有限公司（-ic.）是从事“集成电路，电子产品领域内的技术开发、技术转让”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供优质的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：许飞。)