昆山奇沃电子有限公司优势代理供应欧派克（EUPEC）英飞凌（Infineon）IGBT可控硅模块、二极管模块。德国英飞凌基本系列型号的大功率IGBT模块：FZ600R12KE3、FZ600R12KE4FZ800R12KE3、FZ800R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ800R12KS4_B2FZ900R12KE4、FZ900R12KP4FZ1000R12KF1FZ1000R16KF1FZ1050R12KF4FZ1050R16KF4FZ900R12KF5FZ900R12KF5<FZ1000R12KF5FZ1200R12KF5FZ1200R12KF1FZ1200R12KL4CFZ1200R12KF4FZ1200R16KF1FZ1200R16KF4FZ1200R17KF4FZ1200R17KF6FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R16KF4_S1FZ1200R17KF6CFZ1200R17KE3FZ1200R17HP4_B2FZ1600R17HP4_B2FZ1600R12KF4_S1FZ1600R16KF4_S1FZ1600R17KE3FZ2400R17KE3FZ3600R17KE3FZ3600R17HP4FZ1600R17HP4_B21FZ1200R12KE3、FZ1200R12HP4FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4CFZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4、FZ600R12KE4FZ1200R17KF6C_B2FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2FZ1200R17KE3、FZ1600R17KE3IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。)