SQJ457EP-T1_GE3VishayPowerPAK-SO-8L-418+全新原装正品全系列MOS管大量现货产品属性属性值搜索类似制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-SO-8L-4通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:36ARdsOn-漏源导通电阻:25mOhmsVgsth-栅源极阈值电压:1.5VVgs-栅极-源极电压:10VQg-栅极电荷:65nC最小工作温度:-55C最大工作温度:+175CPd-功率耗散:68W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:TrenchFET封装:CutTape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.04mm长度:6.15mm系列:SQ晶体管类型:1P-Channel宽度:5.13mm商标:Vishay/Siliconix正向跨导-最小值:26S下降时间:6ns产品类型:MOSFET上升时间:5ns工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:40ns典型接通延迟时间:15ns单位重量:506.600mg)