星际金华供应上乘原装***现货SI7159DP/SI7374DP金属氧化物半导体场效应晶体管价优物原海量库存质量保证欢迎选购实单有接受价可直说产品规格参数值：SI7159DPFET类型P沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）30A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）4.5V，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）180nC@10VVgs（***大值）&plu***n;25V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）5170pF@15VFET功能-功率耗散（***大值）5.4W（Ta），83W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）7毫欧@15A，10V工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK®SO-8封装/外壳PowerPAK®SO-8SI7374DP：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）24A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）4.5V，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）2.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）122nC@10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）5500pF@15VFET功能-功率耗散（***大值）5W（Ta），56W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）5.5毫欧@23.8A，10V工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK®SO-8封装/外壳PowerPAK®SO-8如有需要可向***人员索取相关资料以及图片，因公司产品料号，品牌也众多，客户有需要其他产品可向工作人员查询正确的价格以及信息，避免给你造成麻烦，下单前请先拨打我司电话议价或者***联系，感谢您的来电配合！！！)