深圳市星际金华电子公司为你提供IRFU12N25D/IRFZ44N金属氧化物场效应晶体管！！！只做原装价格优惠现货热销质量可保证欢迎广大商友来电咨询规格参数值：IRFU12N25DFET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）250V电流-连续漏极（Id）（25°C时）14A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）35nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@Vgs10VVgs（***大值）&plu***n;30V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）810pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大）@Vds25VFET功能-功率耗散（***大值）144W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）260毫欧@8.4A，10V工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装IPAK（TO-251）封装/外壳TO-251-3短引线，IPak，TO-251AAIRFZ44N：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流-连续漏极（Id）（25°C时）49A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）63nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@Vgs10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）810pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大）@Vds25VFET功能-功率耗散（***大值）94W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）17.5毫欧@25A，10V工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3如有需要可向***人员索取相关资料以及图片，有意者可以来电联系公司的工作人员，我们将竭诚为您服务。)