技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：&plu***n;1℃；前体温度范围：从室温至150℃，&plu***n;2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达5个ALD前体源；PLC控制系统：7英寸16位彩色触摸屏HMI控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无ElestamorO型圈出现;氧化铝催化剂处理能力：6-10次/分钟或高达1.2纳米/分钟（同类***佳）高纵横比沉积，具有良好的共形性***控制，用于在3D结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的3D和2D沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地***小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如SEM/TEM短截线原子层沉积ALD的应用包括：1)High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)；2)导电门电极(Ir,Pt,Ru,TiN)；3)金属互联结构(Cu,WN,TaN,Ru,Ir)；4)催化材料(Pt,Ir,Co,TiO2,V2O5)；5)纳米结构(AllALDMaterial)；6)生物***涂层(TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)；7)ALD金属(Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)；8)压电层(ZnO,AlN,ZnS)；9)透明电学导体(ZnO:Al,ITO);10)紫外阻挡层(ZnO,TiO2);11)OLED钝化层(Al2O3);12)光子晶体(ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5);13)防反射滤光片(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)；14)电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce);15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等(Al2O3,ZrO2);16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等(AlTiO,SnO2,ZnO);17)传感器(SnO2,Ta2O5);18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层(Al2O3,ZrO2,WS2)；)