深圳市星际金华电子公司原装促销[STF100N10F7金属氧化物半导体场效应晶体管]优势大货源出售质量保证价格优惠欢迎咨询星际金华提供STF100N10F7金属氧化物半导体场效应晶体管价优物原实单可议价产品规格：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流-连续漏极（Id）（25°C时）45A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）61nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@Vgs10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）4369pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大）@Vds50VFET功能-功率耗散（***大值）30W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）8毫欧@22.5A，10V工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3整包下单前请先与***人员询问正确的价格，我们将竭诚为您服务。)