宏辉电子原装现货，支持样品。如果需要规格书和产品实物照片的，请联系我，谢谢！深圳宏辉电子，只做***，欢迎询价在线商城网址:网址:柯先生***：1522282744谢先生***：1079163456陈小姐***：646478204李小姐***：2277826649邮箱:lisj@电话咨询:0755-23095150-805联系人:谢先生手机:13923840661FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）100A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）4.5V，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）2.15V@1mA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）117nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@Vgs10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）6810pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大）@Vds12VFET功能-功率耗散（***大值）211W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）2.1毫欧@15A，10V工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3)