IPA60R125P6和IPA60R280E6单端场效应管详细参数：IPA60R125P6：批号1704+封装：TO-220品牌：INFINEON规格：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流-连续漏极（Id）（25°C时）30A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4.5V@960µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）56nC@10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）2660pF@100VVgs（***大值）&plu***n;20VFET功能-功率耗散（***大值）34W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）125毫欧@11.6A，10V工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO-220-FP封装/外壳TO-220-3整包IPA60R280E6：批号1709+封装：TO-220品牌：INFINEON规格：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流-连续漏极（Id）（25°C时）13.8A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）3.5V@430µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）43nC@10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）950pF@100VVgs（***大值）&plu***n;20VFET功能-功率耗散（***大值）32W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）280毫欧@6.5A，10V工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO-220-FP封装/外壳TO-220-3整包如有需要此产品的顾客请先致电咨询***人员，资料以及价格仅供参考，下单前先询问好价格，给你带来不便之处，还请谅解。优惠货源：V23990-P180-A20-PMP180A2006SE2614BTIPW60R070C6IPA60R380P6IPA60R125P6IPA60R280E6VND5160JTREKMC1603111TSL25711FN)