TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，基本都会是用于在陶瓷气体放电管之后的二级保护，也有用户直接将其用于产品的一级保护。其特点为反应速度快(ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------1、确定被保护电路的直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“***”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。3、TVS的箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压***器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UniBiUniBiVRWM(V)VBR≦(V)VBR≧(V)IT(mA)VC(V)P6KE6.8AP6KE6.8CA5.86.467.141010.557.141000P6KE7.5AP6KE7.5CA6.47.137.881011.353.10500P6KE8.2AP6KE8.2CA7.07.798.611012.149.59200P6KE9.1AP6KE9.1CA7.88.659.56113.444.7850--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------储存条件.1储存温度：-10℃～+40℃；.2储存湿度：≤75%RH；3避免存放在具有腐蚀性气体及光照直射的环境下；4包装打开后需重新密封保存；5储存期限：壹年备注：储存条件相当重要，否则有出现氧化的可能)