IRF640N现货供应IR原装***产品属性选取全部项目类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单制造商InfineonTechnologies系列HEXFET®包装?带卷（TR）?零件状态在售FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）200V电流-连续漏极（Id）（25°C时）18A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）67nC@10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）1160pF@25VVgs（***大值）&plu***n;20VFET功能-功率耗散（***大值）150W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）150毫欧@11A，10V工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB)