1.TSS半导体放电管简介半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有***导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于***小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。2.TSS半导体放电管工作原理半导体放电管也称固态放电管是一种PNP元件，当外加电压低于断态电压时，器件处于断开状态；当电压超过它的断态峰值电压时，半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的转折电压内；电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，这时近乎短路；当外加电压***正常，电流能很快下降并低于维持电流，元件自动复位并***到高阻抗状态，电路正常工作。DO-214AA封装PXXX0SB系列封装：DO-214AA/***B电压：6V-400V抗雷击等级@10/700μs：4KVP3100SB的参数：封装：DO-214AA电压：275V电流：150mA容值：20~35pFP3100SB的特性：1、低电压过冲2、低通态电压3、多个浪涌极限事件之后不能降低浪涌能力4、当浪涌超过额定值时会短路故障5、低电容P3100SB的产品应用：1、TIA-968-A2、ITUK.20/21提高水平3、ITUK.20/21基本水平4、GR1089内部建筑5、IEC61000-4-56、YD/T10827、YD/T9938、YD/T950选用半导体放电管应注意以下几点：1、***大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。2、开关电压Vs必须小于被保护电路所允许的***大瞬间峰值电压。3、峰值断态电压必须大于被保护电路的***大工作电压。如在POTS应用中，***大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。4、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。)