固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。它采用了***的离子注入技术，具有导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点;广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和***。DO-214AC封装PXXXXSA系列封装：DO-214AC/***A电压：6V-340V抗雷击等级@10/700μs：3KVP0640SA的参数：封装：DO-214AC/***A电压：58V电流：120mA容值：30pFP0640SA的特性：1、低电容2、良好的吸收瞬态浪涌能力3、快速响应浪涌电压（纳秒级）4、消除快速上升瞬变造成的过电压5、湿度敏感度等级：1级6、当超过额定值时，短路故障7、非退化TSS半导体放电管的选型应用：Vdrw>电路上的工作电压1、***大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的***大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的***大工作电压。如在POTS应用中，***大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，***大DC电压(150V)和***大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。得益于半导体放电管***导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。半导体放电管的应用范围也极为广泛，可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。)