星际金华电子现货供应【BFR360F和SI7121DN和SI5853DC场效应晶体管】***进口货源库粗有大量货源要的赶紧来电咨询星际金华热营【BFR360F和SI7121DN和SI5853DC场效应晶体管】量大价优实单有接受价可详谈BFR360F：晶体管类型NPN电压-集射极击穿（***大值）9V频率-跃迁14GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）1dB@1.8GHz增益15.5dB功率-***大值210mW不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（***小值）90@15mA，3V电流-集电极（Ic）（***大值）35mA工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳SOT-723供应商器件封装PG-TSFP-3SI7121DN：FET类型P沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）16A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）4.5V，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）65nC@10VVgs（***大值）&plu***n;25V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）1960pF@15VFET功能-功率耗散（***大值）3.7W（Ta），52W（Tc）不同Id，Vgs时的***On（***大值）18毫欧@10A，10V工作温度-50°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PowerPAK®1212-8封装/外壳PowerPAK®1212-8SI5853DC：FET类型P沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）20V电流-连续漏极（Id）（25°C时）2.7A（Ta）不同Id时的Vgs（th）（***大值）1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）7.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）-FET功能肖特基二极管（隔离式）功率耗散（***大值）1.1W（Ta）不同Id，Vgs时的***On（***大值）110毫欧@2.7A，4.5V工作温度-50°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装1206-8ChipFET™封装/外壳8-***D，扁平引线公司还促销以下型号：***B380A3936SEDTCND5000MI***9300WRSI4800BDYBFR360FBSP135OPA2227UA125NQ015PS7522LSI7121DNFDMC8878SI5853DCLTM4601VLT1763CS8-5AD820ARZLTC1645IS8LT1761ES5-1.8STM810MWX6FMAX1544ETLADR435BRZH***S-282KSTK682-010ADUM1400ARWZPIC18F45K22MT6595W以上型号均为我司长期现货供应产品，网上标价持有不确定性，价格请以当天询问为主。如果您想了解更多关于原装现货的产品，欢迎来电咨询！！！)