半导体放电管，是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理***成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉衝电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于***小维持电流。半导体放电管就是应用于便携式电信终端设备的防雷过压器件。贴片式的封装基本满足便携式产品的PCB板空间需求，且极低的电容和优异的半导体放电管产品特性，P0900SB的参数：封装：DO-214AA(***B)电压：75V电流：800mA容值：70pFP0900SB的特性：1、低电容2、良好的吸收瞬态浪涌能力3、快速响应浪涌电压（纳秒级）4、消除快速上升瞬变造成的过电压5、湿度敏感度等级：1级6、非退化半导体放电管的选型Vdrw>电路上的工作电压1、***大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的***大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的***大工作电压。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。)