标注的Id电流是MOS芯片的***大常态电流，实际使用时的***大常态电流还要受封装的***大电流限制。因此客户设计产品时的***大使用电流设定要考虑封装的***大电流限制。建议客户设计产品时的***大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。2.建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻***小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.4.MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：•操作人员要通过防静电腕带接地。•设备外壳必须接地。•装配过程中使用的工具必须接地。•必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输)