ESD靜******器，是一种由高分子材料制成，内部菱形分子以规则离散状排列，当静电电压超过该器件的触发电压时，内部分子迅速产生对的放电，将静电在瞬间泄放到地。具有自身电容低(0.05~0.2pF)、泄漏电流低（<1nA）、箝位电压低和响应速度快（0.5ns～1ns）的特点，特别适用于低压、高速应用，如移动电话、MP3/MP4播放器、PMP便携媒体播放器、GPS******系统、高速数据传输电路(IEEE1394、USB2.0、InfiniBand、HDMI和DVI等)。它们能满足这些应用对保护器件具有极低电容的要求，可将对数据信号完整性的影响减小到***小.SLP2510P8封装常用型号：RClamp0524P；ULC0524P;ESD0524P;SFI0524PSOP封装常用型号：SLVU2.8-4.TBTDNON-10封装常用型号：ULC0524P;T;ESD0524P;SOT-23-6封装常用型号：SRV05-4.TCT;SOT-143封装常用型号：T;SR3.3.TCT；ESD05V14T-LCSC-75封装常用型号：T;SC-89封装常用型号：T;TSOD-882封装常用型号：LESD8D5.0T5G;LESD8D3.3CT5G;LESD8D5.0CT5G;LESD8D3.3T5G;LESD8D12T5G;LESD8B5.0ST5G;LESD8L5.0CT5G;LESD8L3.3CT5G;LESD8L5.0T5G;LESD8L3.3T5G;ESD静电二极管SOD-923封装型号：ESD9B5V-2/TR;ESD9B5VL-2/TR;ESD9X5V-2/TR;ESD9X7V-2/TR;ESD9X7V-2/TR;ESD9X3.3ST5G;SES5VD923-2B;ESD9X12ST5G;LESD9D3.3CT5G;LESD9D5.0CT5G;LESD9B5.0ST5G;ESD9N5V-2/TR;SES5VD923-2U;SES3V3D923-2U;SES3V3D923-2B;LESD9D3.3T5G;LESD9D5.0T5G;LESD9L5.0CT5G;PESDUC9D5VU;PESDNC9D3V3U;PESDNC9D3V3B;PESDNC9D5VU;PESDNC9D5VB;PESDNC9D7VU;PESDNC9D12VU;PESDNC9D12VB;LESD9L3.3T5G;ESD9B3.3ST5G;ESD9X5.0ST5G;ESD9B5.0ST5G;ESD9X7.0ST5G;ESD静电二极管SOD-323封装型号：TUSD03FB;TUSD05FB;TUSD08FB;TUSD12FB;TUSD15FB;TUSD24FB;GBLC05CI;GBLC12CI;GBLC24CI;ESD05V32D-LC;T;T;T;T;T;T;T;T;T;T;T;ESDLC3V3D3B:ESDLC5V0D3B；ESDLC8V0D3B；ESDLC12VD3B；ESDLC15VD3B；)