MOSFET/场效应管HC2310产品介绍：产品型号：HC2310取代型号：完全取代SI2310产品封装：SOT-23产品品牌：HC/浩畅是否环保：无铅环保***小包装：3000PCSN沟道增强型功率MOSFET漏极-源极电压（VDS）:60V漏极电流（ID）:3.0A漏源电流脉冲IDM:10A栅源电压（VGS）:&plu***n;12V结温（TJ）:150℃储存温度（TSTG）:-55~150℃耗散功率（PD）:1.38W栅源极开启电压VGS(th):1.0~2.0V栅源截至电流IGSS(F/R):&plu***n;100nAN沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。)